知情人士称，从密特斯拉现已开端在印度寻觅土地，以在当地新建电动汽车制造厂，马哈拉施特拉邦将是特斯拉的第一个选址地
此外，布访包围较低的导通损耗还可优化半导体资料的运用，进步给定运用的功率水平或下降其资料本钱，一起完成功率和本钱的两层效益。Wolfspeed第4代MOSFET在高温下的导通电阻可下降高达21%，伦敦而在较低温度下，该电阻下降起伏更大。
经过一起优化导通损耗、欧洲开关功能、稳定性和牢靠性，Wolfspeed的规划理念可保证全方位的功能。与第3代比较，安全第4代MOSFET的波形更为滑润，最大极限地削减了共模电压和辐射发射，简化了电磁搅扰(EMI)滤波器规划。战略样简介本白皮书要点介绍Wolfspeed专为高功率电子运用而规划的第4代碳化硅(SiC)MOSFET技能。
从密高频率软开关运用软开关运用(如用于车载充电机和工业电源第二阶段的超高频DC-DC转换器)的规划与硬开关前端有所不同。布访包围可进步体系牢靠性和耐久性的先进封装立异的互连办法关于进步功率模块功能至关重要。
增强的稳健性和牢靠性，伦敦包含下降对宇宙射线等环境要素的敏感性，伦敦使规划人员能够运用更小的安全裕度，然后进一步最大程度削减所需的半导体资料。
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